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SI4931DY-T1-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SI4931DY-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI4931DY-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI4931DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI4931DY-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC |
Tempi di consegna standard del produttore | 20 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 12V 6,7A 1,1W A montaggio superficiale 8-SOIC |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SI4931DY-T1-GE3 Modelli |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | Vishay Siliconix | |
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali P (doppio) | |
Funzione FET | Porta a livello logico | |
Tensione drain/source (Vdss) | 12V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 6,7A | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 18mohm a 8,9A, 4,5V | |
Vgs(th) max a Id | 1V a 350µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 52nC a 4,5V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | - | |
Potenza - Max | 1,1W | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm) | |
Contenitore del fornitore | 8-SOIC | |
Codice componente base |
In magazzino: 9 604
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 2,43000 | € 2,43 |
| 10 | € 1,56900 | € 15,69 |
| 100 | € 1,08040 | € 108,04 |
| 500 | € 0,88538 | € 442,69 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2 500 | € 0,73142 | € 1 828,55 |
| 5 000 | € 0,72335 | € 3 616,75 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 2,43000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 2,96460 |
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