MOSFET - Array 12V 9,2A 2W A montaggio superficiale 8-SO
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IRF7329TRPBF

Codice DigiKey
IRF7329PBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
IRF7329PBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
IRF7329PBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Infineon Technologies
Codice produttore
IRF7329TRPBF
Descrizione
MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8SO
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 12V 9,2A 2W A montaggio superficiale 8-SO
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Infineon Technologies
Serie
HEXFET®
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Obsoleto
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
2 canali P (doppio)
Funzione FET
Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)
12V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
9,2A
RDSon (max) a Id, Vgs
17mohm a 9,2A, 4,5V
Vgs(th) max a Id
900mV a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
57nC a 4,5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
3450pF a 10V
Potenza - Max
2W
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Contenitore del fornitore
8-SO
Codice componente base
IRF732
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
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500€ 0,47292€ 236,46
1 000€ 0,43181€ 431,81
2 000€ 0,39725€ 794,50
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 1,42000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 1,73240