SI4922BDY-T1-GE3 è obsoleto e non è più in produzione.
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MOSFET - Array 30V 8A 3,1W A montaggio superficiale 8-SOIC
Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

SI4922BDY-T1-GE3

Codice DigiKey
SI4922BDY-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
SI4922BDY-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
SI4922BDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
SI4922BDY-T1-GE3
Descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 30V 8A 3,1W A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
Mostra attributi vuoti
Categoria
Vgs(th) max a Id
1,8V a 250µA
Produttore
Vishay Siliconix
Carica del gate (Qg) max a Vgs
62nC a 10V
Serie
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
2070pF a 15V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Potenza - Max
3,1W
Stato componente
Obsoleto
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Configurazione
2 canali N (doppio)
Contenitore/involucro
8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Tensione drain/source (Vdss)
30V
Contenitore del fornitore
8-SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
8A
Codice componente base
RDSon (max) a Id, Vgs
16mohm a 5A, 10V
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
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Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
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