
SI4848BDY-T1-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 742-SI4848BDY-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SI4848BDY-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SI4848BDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI4848BDY-T1-GE3 |
Descrizione | N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET SO- |
Tempi di consegna standard del produttore | 33 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 150 V 3,7A (Ta), 5A (Tc) 2,5W (Ta), 4,5W (Tc) A montaggio superficiale 8-SOIC |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SI4848BDY-T1-GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 150 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 6V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 89mohm a 3,7A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 4V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 9 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 400 pF @ 75 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 2,5W (Ta), 4,5W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | 8-SOIC | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 0,94000 | € 0,94 |
| 10 | € 0,59000 | € 5,90 |
| 100 | € 0,38630 | € 38,63 |
| 500 | € 0,29884 | € 149,42 |
| 1 000 | € 0,27065 | € 270,65 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2 500 | € 0,24012 | € 600,30 |
| 5 000 | € 0,22125 | € 1 106,25 |
| 7 500 | € 0,21163 | € 1 587,23 |
| 12 500 | € 0,20083 | € 2 510,38 |
| 17 500 | € 0,19574 | € 3 425,45 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,94000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,14680 |




