
SI4838BDY-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SI4838BDY-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI4838BDY-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI4838BDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI4838BDY-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 12V 34A 8SO |
Tempi di consegna standard del produttore | 27 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 12 V 34 A (Tc) 2,5W (Ta), 5,7W (Tc) A montaggio superficiale 8-SOIC |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SI4838BDY-T1-GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 12 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 1,8V, 4,5V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 2,7mohm a 15A, 4,5V | |
Vgs(th) max a Id | 1V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 84 nC @ 4.5 V | |
Vgs (max) | ±8V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 5760 pF @ 6 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 2,5W (Ta), 5,7W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | 8-SOIC | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,87000 | € 1,87 |
| 10 | € 1,20000 | € 12,00 |
| 100 | € 0,81390 | € 81,39 |
| 500 | € 0,64872 | € 324,36 |
| 1 000 | € 0,62109 | € 621,09 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2 500 | € 0,53817 | € 1 345,43 |
| 5 000 | € 0,50742 | € 2 537,10 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,87000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 2,28140 |


