SI4831BDY-T1-E3 è obsoleto e non è più in produzione.
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SI4831BDY-T1-E3

Codice DigiKey
SI4831BDY-T1-E3-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
SI4831BDY-T1-E3
Descrizione
MOSFET P-CH 30V 6.6A 8SO
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale P 30 V 6,6 A (Tc) 2W (Ta), 3,3W (Tc) A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
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Mostra attributi vuoti
Categoria
Vgs(th) max a Id
3V a 250µA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
26 nC @ 10 V
Serie
Vgs (max)
±20V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
625 pF @ 15 V
Stato componente
Obsoleto
Funzione FET
Diodo Schottky (isolato)
Tipo FET
Dissipazione di potenza (max)
2W (Ta), 3,3W (Tc)
Tecnologia
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore del fornitore
8-SOIC
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
Contenitore/involucro
RDSon (max) a Id, Vgs
42mohm a 5A, 10V
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (2)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
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Obsoleto
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