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SI4831BDY-T1-E3 | |
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Codice DigiKey | SI4831BDY-T1-E3-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | SI4831BDY-T1-E3 |
Descrizione | MOSFET P-CH 30V 6.6A 8SO |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 30 V 6,6 A (Tc) 2W (Ta), 3,3W (Tc) A montaggio superficiale 8-SOIC |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Vgs(th) max a Id 3V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 26 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 625 pF @ 15 V |
Stato componente Obsoleto | Funzione FET Diodo Schottky (isolato) |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta), 3,3W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 30 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore 8-SOIC |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 42mohm a 5A, 10V | Codice componente base |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
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| SI4447ADY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 11 933 | SI4447ADY-T1-GE3CT-ND | € 0,87000 | Simile |
| AO4449 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 12 646 | 785-1199-1-ND | € 0,98000 | Simile |



