Name: SI4816BDY-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4816BDY-T1-E3TR-ND
Price: 2.623 EUR
Availability: InStock

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SI4816BDY-T1-E3
Codice DigiKey	SI4816BDY-T1-E3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI4816BDY-T1-E3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI4816BDY-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI4816BDY-T1-E3
Descrizione	MOSFET 2N-CH 30V 5.8A/8.2A 8SOIC
Tempi di consegna standard del produttore	38 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 30V 5,8 A, 8,2 A 1W, 1,25W A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SI4816BDY-T1-E3 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	RDSon (max) a Id, Vgs 18,5mohm a 6,8A, 10V
Produttore Vishay Siliconix	Vgs(th) max a Id 3V a 250µA
Serie LITTLE FOOT®	Carica del gate (Qg) max a Vgs 10nC a 5V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Potenza - Max 1W, 1,25W
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Configurazione 2 canali N (semiponte)	Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Funzione FET Porta a livello logico	Contenitore del fornitore 8-SOIC
Tensione drain/source (Vdss) 30V	Codice componente base SI4816
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 5,8 A, 8,2 A