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SQ4940AEY-T1_GE3
Vishay Siliconix
In magazzino: 5 884
Prezzo unitario : € 1,46000
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onsemi
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MOSFET - Array 25V 8A 2,8W A montaggio superficiale 8-SOIC
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SI4670DY-T1-E3

Codice DigiKey
SI4670DY-T1-E3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Vishay Siliconix
Codice produttore
SI4670DY-T1-E3
Descrizione
MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 25V 8A 2,8W A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica
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Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Vishay Siliconix
Serie
TrenchFET®
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Obsoleto
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
2 canali N (doppio)
Funzione FET
Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)
25V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
8A
RDSon (max) a Id, Vgs
23mohm a 7A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
18nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
680pF a 13V
Potenza - Max
2,8W
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Contenitore del fornitore
8-SOIC
Codice componente base
SI4670
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