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SI4670DY-T1-E3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SI4670DY-T1-E3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | SI4670DY-T1-E3 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 25V 8A 2,8W A montaggio superficiale 8-SOIC |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | RDSon (max) a Id, Vgs 23mohm a 7A, 10V |
Produttore Vishay Siliconix | Vgs(th) max a Id 2,2V a 250µA |
Serie | Carica del gate (Qg) max a Vgs 18nC a 10V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 680pF a 13V |
Stato componente Obsoleto | Potenza - Max 2,8W |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Configurazione 2 canali N (doppio) | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Funzione FET Porta a livello logico | Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm) |
Tensione drain/source (Vdss) 25V | Contenitore del fornitore 8-SOIC |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 8A | Codice componente base |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| SQ4940AEY-T1_GE3 | Vishay Siliconix | 4 084 | SQ4940AEY-T1_GE3CT-ND | € 1,53000 | Diretto |
| FDS6890A | onsemi | 6 063 | FDS6890ACT-ND | € 1,76000 | Simile |



