SI4670DY-T1-E3 è obsoleto e non è più in produzione.
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Diretto


Vishay Siliconix
In magazzino: 4 084
Prezzo unitario : € 1,53000
Scheda tecnica

Simile


onsemi
In magazzino: 6 063
Prezzo unitario : € 1,76000
Scheda tecnica
MOSFET - Array 25V 8A 2,8W A montaggio superficiale 8-SOIC
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SI4670DY-T1-E3

Codice DigiKey
SI4670DY-T1-E3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
SI4670DY-T1-E3
Descrizione
MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 25V 8A 2,8W A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
Categoria
RDSon (max) a Id, Vgs
23mohm a 7A, 10V
Produttore
Vishay Siliconix
Vgs(th) max a Id
2,2V a 250µA
Serie
Carica del gate (Qg) max a Vgs
18nC a 10V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
680pF a 13V
Stato componente
Obsoleto
Potenza - Max
2,8W
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Configurazione
2 canali N (doppio)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Funzione FET
Porta a livello logico
Contenitore/involucro
8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Tensione drain/source (Vdss)
25V
Contenitore del fornitore
8-SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
8A
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (2)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
SQ4940AEY-T1_GE3Vishay Siliconix4 084SQ4940AEY-T1_GE3CT-ND€ 1,53000Diretto
FDS6890Aonsemi6 063FDS6890ACT-ND€ 1,76000Simile
Obsoleto
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