SI4666DY-T1-GE3 Vishay Siliconix | FET, MOSFET singoli

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Vishay Siliconix

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Prezzo unitario : € 1,06000

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SI4666DY-T1-GE3
Codice DigiKey	SI4666DY-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI4666DY-T1-GE3
Descrizione	MOSFET N-CH 25V 16.5A 8SO
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 25 V 16,5 A (Tc) 2,5W (Ta), 5W (Tc) A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1,5V a 250µA
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 34 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (max) ±12V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1145 pF @ 10 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta), 5W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 25 V	Contenitore del fornitore 8-SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 16,5 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 2,5V, 10V	Codice componente base SI4666
RDSon (max) a Id, Vgs 10mohm a 10A, 10V

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
SI4134DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	3 750	SI4134DY-T1-GE3CT-ND	€ 1,06000	Simile

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