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Scheda tecnica
Canale N 30 V 30 A (Tc) 3W (Ta), 6W (Tc) A montaggio superficiale 8-SOIC
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SI4626ADY-T1-GE3

Codice DigiKey
SI4626ADY-T1-GE3-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
SI4626ADY-T1-GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 30A 8SO
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 30 V 30 A (Tc) 3W (Ta), 6W (Tc) A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
Mostra attributi vuoti
Categoria
Vgs(th) max a Id
2,5V a 250µA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
125 nC @ 10 V
Serie
Vgs (max)
±20V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
5370 pF @ 15 V
Stato componente
Data di acquisto finale
Dissipazione di potenza (max)
3W (Ta), 6W (Tc)
Tipo FET
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Contenitore del fornitore
8-SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore/involucro
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
Codice componente base
RDSon (max) a Id, Vgs
3,3mohm a 15A, 10V
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (4)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
SI4164DY-T1-GE3Vishay Siliconix91SI4164DY-T1-GE3CT-ND€ 1,97000Consigliato dal produttore
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Data ultima possibilità d'acquisto
Data ultima possibilità d'acquisto: 31.10.2026
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2 500€ 0,91619€ 2 290,47
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,91619
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 1,11775