
SI4599DY-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SI4599DY-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI4599DY-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI4599DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI4599DY-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SOIC |
Tempi di consegna standard del produttore | 15 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 40V 6,8 A, 5,8 A 3W, 3,1W A montaggio superficiale 8-SOIC |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SI4599DY-T1-GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | Vishay Siliconix | |
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | Canale N e P | |
Funzione FET | Porta a livello logico | |
Tensione drain/source (Vdss) | 40V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 6,8 A, 5,8 A | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 35,5mohm a 5A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 20nC a 10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 640pF a 20V | |
Potenza - Max | 3W, 3,1W | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm) | |
Contenitore del fornitore | 8-SOIC | |
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,11000 | € 1,11 |
| 10 | € 0,70300 | € 7,03 |
| 100 | € 0,46440 | € 46,44 |
| 500 | € 0,36182 | € 180,91 |
| 1 000 | € 0,32880 | € 328,80 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2 500 | € 0,29305 | € 732,62 |
| 5 000 | € 0,27094 | € 1 354,70 |
| 7 500 | € 0,25968 | € 1 947,60 |
| 12 500 | € 0,24831 | € 3 103,88 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,11000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,35420 |




