Name: SI4464DY-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4464DY-T1-E3TR-ND
Price: 2.44 EUR
Availability: InStock

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SI4464DY-T1-E3
Codice DigiKey	SI4464DY-T1-E3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI4464DY-T1-E3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI4464DY-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI4464DY-T1-E3
Descrizione	MOSFET N-CH 200V 1.7A 8SO
Tempi di consegna standard del produttore	38 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 200 V 1,7 A (Ta) 1,5W (Ta) A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SI4464DY-T1-E3 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 240mohm a 2,2A, 10V
Produttore Vishay Siliconix	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Serie TrenchFET®	Carica del gate (Qg) max a Vgs 18 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 1,5W (Ta)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 200 V	Contenitore del fornitore 8-SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 1,7 A (Ta)	Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Codice componente base SI4464