Name: SI4100DY-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4100DY-T1-E3TR-ND
Price: 2.0618 EUR
Availability: InStock

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SI4100DY-T1-E3
Codice DigiKey	SI4100DY-T1-E3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI4100DY-T1-E3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI4100DY-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI4100DY-T1-E3
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO
Tempi di consegna standard del produttore	38 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 6,8 A (Tc) 2,5W (Ta), 6W (Tc) A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SI4100DY-T1-E3 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4,5V a 250µA
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 20 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 600 pF @ 50 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta), 6W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore 8-SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 6,8 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Codice componente base SI4100
RDSon (max) a Id, Vgs 63mohm a 4,4A, 10V