Name: SI3585CDV-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI3585CDV-T1-GE3TR-ND
Price: 0.854 EUR
Availability: InStock

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SI3585CDV-T1-GE3
Codice DigiKey	SI3585CDV-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI3585CDV-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI3585CDV-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI3585CDV-T1-GE3
Descrizione	MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP
Tempi di consegna standard del produttore	15 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 20V 3,9 A, 2,1 A 1,4W, 1,3W A montaggio superficiale 6-TSOP
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SI3585CDV-T1-GE3 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	Canale N e P
Funzione FET	Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)	20V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	3,9 A, 2,1 A
RDSon (max) a Id, Vgs	58mohm a 2,5A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	4,8nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	150pF a 10V
Potenza - Max	1,4W, 1,3W
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Contenitore del fornitore	6-TSOP
Codice componente base	SI3585

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Nastrato in bobina (TR)