Name: SI3438DV-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI3438DV-T1-E3TR-ND
Price: 1.83 EUR
Availability: InStock

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SI3438DV-T1-E3
Codice DigiKey	SI3438DV-T1-E3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI3438DV-T1-E3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI3438DV-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI3438DV-T1-E3
Descrizione	MOSFET N-CH 40V 7.4A 6TSOP
Tempi di consegna standard del produttore	38 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 7,4 A (Tc) 2W (Ta), 3,5W (Tc) A montaggio superficiale 6-TSOP
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SI3438DV-T1-E3 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3V a 250µA
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 20 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 640 pF @ 20 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta), 3,5W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 40 V	Contenitore del fornitore 6-TSOP
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 7,4 A (Tc)	Contenitore/involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base SI3438
RDSon (max) a Id, Vgs 35,5mohm a 5A, 10V