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Canale P 20 V 4,3 A (Ta) 1,1W (Ta) A montaggio superficiale 6-TSOP
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SI3433BDV-T1-GE3

Codice DigiKey
SI3433BDV-T1-GE3-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
SI3433BDV-T1-GE3
Descrizione
MOSFET P-CH 20V 4.3A 6TSOP
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale P 20 V 4,3 A (Ta) 1,1W (Ta) A montaggio superficiale 6-TSOP
Attributi del prodotto
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Mostra attributi vuoti
Categoria
RDSon (max) a Id, Vgs
42mohm a 5,6A, 4,5V
Produttore
Vgs(th) max a Id
850mV a 250µA
Serie
Carica del gate (Qg) max a Vgs
18 nC @ 4.5 V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Vgs (max)
±8V
Stato componente
Obsoleto
Dissipazione di potenza (max)
1,1W (Ta)
Tipo FET
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss)
20 V
Contenitore del fornitore
6-TSOP
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore/involucro
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
1,8V, 4,5V
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (8)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
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