
SI3421DV-T1-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SI3421DV-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI3421DV-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI3421DV-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI3421DV-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP |
Tempi di consegna standard del produttore | 22 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 30 V 8 A (Tc) 2W (Ta), 4,2W (Tc) A montaggio superficiale 6-TSOP |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SI3421DV-T1-GE3 Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 3V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 69 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2580 pF @ 15 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta), 4,2W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 30 V | Contenitore del fornitore 6-TSOP |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 19,2mohm a 7A, 10V |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 0,79000 | € 0,79 |
| 10 | € 0,49300 | € 4,93 |
| 100 | € 0,31960 | € 31,96 |
| 500 | € 0,24496 | € 122,48 |
| 1 000 | € 0,22089 | € 220,89 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,19029 | € 570,87 |
| 6 000 | € 0,17488 | € 1 049,28 |
| 9 000 | € 0,16702 | € 1 503,18 |
| 15 000 | € 0,15820 | € 2 373,00 |
| 21 000 | € 0,15298 | € 3 212,58 |
| 30 000 | € 0,14790 | € 4 437,00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,79000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,96380 |



