SI2308BDS-T1-BE3 Vishay Siliconix | FET, MOSFET singoli

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SI2308BDS-T1-BE3
Codice DigiKey	742-SI2308BDS-T1-BE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SI2308BDS-T1-BE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SI2308BDS-T1-BE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI2308BDS-T1-BE3
Descrizione	N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 1,9A (Ta), 2,3A (Tc) 1,09W (Ta), 1,66W (Tc) A montaggio superficiale SOT-23-3 (TO-236)

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3V a 250µA
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 6.8 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Obsoleto	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 190 pF @ 30 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 1,09W (Ta), 1,66W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 1,9A (Ta), 2,3A (Tc)	Contenitore del fornitore SOT-23-3 (TO-236)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RDSon (max) a Id, Vgs 156mohm a 1,9A, 10V

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
NVR5198NLT1G	onsemi	53 580	NVR5198NLT1GOSCT-ND	€ 0,56000	Simile

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Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	€ 0,74000	€ 0,74
10	€ 0,45900	€ 4,59

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 0,74000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 0,90280

SI2308BDS-T1-BE3