
SI2306BDS-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SI2306BDS-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI2306BDS-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI2306BDS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI2306BDS-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3 |
Tempi di consegna standard del produttore | 27 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 30 V 3,16 A (Ta) 750mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-23-3 (TO-236) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SI2306BDS-T1-GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 30 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 47mohm a 3,5A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 4.5 nC @ 5 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 305 pF @ 15 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 750mW (Ta) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | SOT-23-3 (TO-236) | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 0,74000 | € 0,74 |
| 10 | € 0,46200 | € 4,62 |
| 100 | € 0,29940 | € 29,94 |
| 500 | € 0,22932 | € 114,66 |
| 1 000 | € 0,20672 | € 206,72 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,17801 | € 534,03 |
| 6 000 | € 0,16355 | € 981,30 |
| 9 000 | € 0,15618 | € 1 405,62 |
| 15 000 | € 0,14790 | € 2 218,50 |
| 21 000 | € 0,14300 | € 3 003,00 |
| 30 000 | € 0,14035 | € 4 210,50 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,74000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,90280 |











