Name: SI2306BDS-T1-BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI2306BDS-T1-BE3TR-ND
Price: 0.9882 EUR
Availability: OutOfStock

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SI2306BDS-T1-BE3
Codice DigiKey	742-SI2306BDS-T1-BE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SI2306BDS-T1-BE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SI2306BDS-T1-BE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI2306BDS-T1-BE3
Descrizione	N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Tempi di consegna standard del produttore	38 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 3,16 A (Ta) 750mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-23-3 (TO-236)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3V a 250µA
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 4.5 nC @ 5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 305 pF @ 15 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 750mW (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 3,16 A (Ta)	Contenitore del fornitore SOT-23-3 (TO-236)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RDSon (max) a Id, Vgs 47mohm a 3,5A, 10V

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
SI2306BDS-T1-E3	Vishay Siliconix	35 136	SI2306BDS-T1-E3CT-ND	€ 0,81000	Equivalente parametrico
SI2306BDS-T1-GE3	Vishay Siliconix	2 174	SI2306BDS-T1-GE3CT-ND	€ 0,78000	Equivalente parametrico

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Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 0,81000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 0,98820

SI2306BDS-T1-BE3