Name: SI2302CDS-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI2302CDS-T1-E3TR-ND
Price: 0.8052 EUR
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

SI2302CDS-T1-E3
Codice DigiKey	SI2302CDS-T1-E3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI2302CDS-T1-E3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI2302CDS-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI2302CDS-T1-E3
Descrizione	MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
Tempi di consegna standard del produttore	24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 20 V 2,6 A (Ta) 710mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-23-3 (TO-236)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	2,6 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	2,5V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	57mohm a 3,6A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	850mV a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	5.5 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±8V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	710mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SOT-23-3 (TO-236)
Contenitore/involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Codice componente base	SI2302

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

In magazzino: 76 394

Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive

Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)