Name: SI1922EDH-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI1922EDH-T1-GE3TR-ND
Price: 0.793 EUR
Availability: InStock

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SI1922EDH-T1-GE3
Codice DigiKey	SI1922EDH-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI1922EDH-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI1922EDH-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI1922EDH-T1-GE3
Descrizione	MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6
Tempi di consegna standard del produttore	38 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 20V 1,3A 1,25W A montaggio superficiale SC-70-6
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	RDSon (max) a Id, Vgs 198mohm a 1A, 4,5V
Produttore Vishay Siliconix	Vgs(th) max a Id 1V a 250µA
Serie TrenchFET®	Carica del gate (Qg) max a Vgs 2,5nC a 8V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Potenza - Max 1,25W
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Configurazione 2 canali N (doppio)	Contenitore/involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Funzione FET Porta a livello logico	Contenitore del fornitore SC-70-6
Tensione drain/source (Vdss) 20V	Codice componente base SI1922
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 1,3A

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 0,65000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 0,79300

SI1922EDH-T1-GE3