SI1551DL-T1-GE3 Vishay Siliconix | Array FET, MOSFET

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Vishay Siliconix

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SI1551DL-T1-GE3
Codice DigiKey	SI1551DL-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI1551DL-T1-GE3
Descrizione	MOSFET N/P-CH 20V 0.29A SC70-6
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 20V 290mA, 410mA 270mW A montaggio superficiale SC-70-6

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	RDSon (max) a Id, Vgs 1,9ohm a 290mA, 4,5V
Produttore Vishay Siliconix	Vgs(th) max a Id 1,5V a 250µA
Serie TrenchFET®	Carica del gate (Qg) max a Vgs 1,5nC a 4,5V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Potenza - Max 270mW
Stato componente Obsoleto	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Configurazione Canale N e P	Contenitore/involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Funzione FET Porta a livello logico	Contenitore del fornitore SC-70-6
Tensione drain/source (Vdss) 20V	Codice componente base SI1551
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 290mA, 410mA

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