Name: SI1411DH-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI1411DH-T1-GE3TR-ND
Price: 1.3542 EUR
Availability: InStock

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SI1411DH-T1-GE3
Codice DigiKey	SI1411DH-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI1411DH-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI1411DH-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI1411DH-T1-GE3
Descrizione	MOSFET P-CH 150V 420MA SOT363
Tempi di consegna standard del produttore	20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 150 V 420mA (Ta) 1W (Ta) A montaggio superficiale SC-70-6
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	150 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	420mA (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	2,6ohm a 500mA, 10V
Vgs(th) max a Id	4,5V a 100µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	6.3 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SC-70-6
Contenitore/involucro	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Codice componente base	SI1411