SI1067X-T1-GE3 Vishay Siliconix | FET, MOSFET singoli

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Vishay Siliconix

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Prezzo unitario : € 0,60000

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SI1067X-T1-GE3
Codice DigiKey	SI1067X-T1-GE3-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI1067X-T1-GE3
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 1.06A SC89-6
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 20 V 1,06A (Ta) 236mW (Ta) A montaggio superficiale SC-89 (SOT-563F)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 950mV a 250µA
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 9.3 nC @ 5 V
Serie TrenchFET®	Vgs (max) ±8V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 375 pF @ 10 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 236mW (Ta)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 20 V	Contenitore del fornitore SC-89 (SOT-563F)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 1,06A (Ta)	Contenitore/involucro SOT-563, SOT-666
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,8V, 4,5V	Codice componente base SI1067
RDSon (max) a Id, Vgs 150mohm a 1,06A, 4,5V

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SI1077X-T1-GE3	Vishay Siliconix	9 109	SI1077X-T1-GE3CT-ND	€ 0,60000	Simile

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