SI1024X-T1-GE3 Vishay Siliconix | Array FET, MOSFET

SI1024X-T1-GE3 è obsoleto e non è più in produzione.

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Diodes Incorporated

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Prezzo unitario : € 0,49000

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SI1024X-T1-GE3
Codice DigiKey	SI1024X-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI1024X-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI1024X-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI1024X-T1-GE3
Descrizione	MOSFET 2N-CH 20V 0.485A SC89
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 20V 485mA 250mW A montaggio superficiale SC-89 (SOT-563F)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SI1024X-T1-GE3 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	RDSon (max) a Id, Vgs 700mohm a 600mA, 4,5V
Produttore Vishay Siliconix	Vgs(th) max a Id 900mV a 250µA
Serie TrenchFET®	Carica del gate (Qg) max a Vgs 0,75nC a 4,5V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Potenza - Max 250mW
Stato componente Obsoleto	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Configurazione 2 canali N (doppio)	Contenitore/involucro SOT-563, SOT-666
Funzione FET Porta a livello logico	Contenitore del fornitore SC-89 (SOT-563F)
Tensione drain/source (Vdss) 20V	Codice componente base SI1024
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 485mA