
SI1012CR-T1-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SI1012CR-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI1012CR-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI1012CR-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI1012CR-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 20V SC75A |
Tempi di consegna standard del produttore | 49 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 20 V 630mA (Ta) 240mW (Ta) A montaggio superficiale SC-75A |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SI1012CR-T1-GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 20 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 1,5V, 4,5V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 396mohm a 600mA, 4,5V | |
Vgs(th) max a Id | 1V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 2 nC @ 8 V | |
Vgs (max) | ±8V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 43 pF @ 10 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 240mW (Ta) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | SC-75A | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 0,40000 | € 0,40 |
| 10 | € 0,24500 | € 2,45 |
| 100 | € 0,15520 | € 15,52 |
| 500 | € 0,11612 | € 58,06 |
| 1 000 | € 0,10350 | € 103,50 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,08745 | € 262,35 |
| 6 000 | € 0,07936 | € 476,16 |
| 9 000 | € 0,07523 | € 677,07 |
| 15 000 | € 0,07059 | € 1 058,85 |
| 21 000 | € 0,06785 | € 1 424,85 |
| 30 000 | € 0,06518 | € 1 955,40 |
| 75 000 | € 0,05932 | € 4 449,00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,40000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,48800 |








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