Name: SI1012CR-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI1012CR-T1-GE3TR-ND
Price: 0.5124 EUR
Availability: InStock

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SI1012CR-T1-GE3
Codice DigiKey	SI1012CR-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI1012CR-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI1012CR-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI1012CR-T1-GE3
Descrizione	MOSFET N-CH 20V SC75A
Tempi di consegna standard del produttore	38 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 20 V 630mA (Ta) 240mW (Ta) A montaggio superficiale SC-75A
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SI1012CR-T1-GE3 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1V a 250µA
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 2 nC @ 8 V
Serie TrenchFET®	Vgs (max) ±8V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 43 pF @ 10 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 240mW (Ta)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 20 V	Contenitore del fornitore SC-75A
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 630mA (Ta)	Contenitore/involucro SC-75, SOT-416
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,5V, 4,5V	Codice componente base SI1012
RDSon (max) a Id, Vgs 396mohm a 600mA, 4,5V

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 0,42000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 0,51240

SI1012CR-T1-GE3