Canale N 20 V 3,1 A (Ta) 1W (Ta) A montaggio superficiale SC-70-6
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SI1406DH-T1-E3

Codice DigiKey
SI1406DH-T1-E3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Vishay Siliconix
Codice produttore
SI1406DH-T1-E3
Descrizione
MOSFET N-CH 20V 3.1A SC70-6
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 20 V 3,1 A (Ta) 1W (Ta) A montaggio superficiale SC-70-6
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Vishay Siliconix
Serie
TrenchFET®
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
3,1 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
1,8V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs
65mohm a 3,9A, 4,5V
Vgs(th) max a Id
1,2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
7.5 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±8V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1W (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
SC-70-6
Contenitore/involucro
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Codice componente base
SI1406
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Obsoleto
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