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Vishay Siliconix
In magazzino: 3 449
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Equivalente parametrico


Vishay Siliconix
In magazzino: 3 000
Prezzo unitario : € 2,30000
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Equivalente parametrico


Vishay Siliconix
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 2,30000
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Equivalente parametrico


Vishay Siliconix
In magazzino: 4 087
Prezzo unitario : € 2,30000
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Equivalente parametrico


Vishay Siliconix
In magazzino: 9
Prezzo unitario : € 1,51000
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Vishay Siliconix
In magazzino: 3 925
Prezzo unitario : € 2,30000
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Prezzo unitario : € 1,22000
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In magazzino: 2 775
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In magazzino: 2 602
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In magazzino: 3 821
Prezzo unitario : € 1,90000
Scheda tecnica
Canale N 600 V 2 A (Tc) 2,5W (Ta), 42W (Tc) A montaggio superficiale DPAK
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IRFRC20TRRPBF

Codice DigiKey
IRFRC20TRRPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
IRFRC20TRRPBF
Descrizione
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Tempi di consegna standard del produttore
26 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 600 V 2 A (Tc) 2,5W (Ta), 42W (Tc) A montaggio superficiale DPAK
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
4,4ohm a 1,2A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
350 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2,5W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
DPAK
Contenitore/involucro
Codice componente base
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Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3 000€ 0,62469€ 1 874,07
6 000€ 0,61724€ 3 703,44
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,62469
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 0,76212