IRFR420TRRPBF è disponibile per l'acquisto ma non è generalmente a magazzino.
Sostituti disponibili:

Equivalente parametrico


Vishay Siliconix
In magazzino: 5 452
Prezzo unitario : € 2,15000
Scheda tecnica

Equivalente parametrico


Vishay Siliconix
In magazzino: 3 000
Prezzo unitario : € 2,15000
Scheda tecnica

Equivalente parametrico


Vishay Siliconix
In magazzino: 2 546
Prezzo unitario : € 2,15000
Scheda tecnica

Equivalente parametrico


Vishay Siliconix
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 2,15000
Scheda tecnica

Equivalente parametrico


Vishay Siliconix
In magazzino: 355
Prezzo unitario : € 2,15000
Scheda tecnica

Equivalente parametrico


Vishay Siliconix
In magazzino: 2 107
Prezzo unitario : € 2,15000
Scheda tecnica

Equivalente parametrico


Vishay Siliconix
In magazzino: 1 798
Prezzo unitario : € 1,22000
Scheda tecnica

Simile


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
In magazzino: 6 231
Prezzo unitario : € 1,03000
Scheda tecnica

Simile


onsemi
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 0,00000
Scheda tecnica

Simile


STMicroelectronics
In magazzino: 28
Prezzo unitario : € 1,66000
Scheda tecnica

Equivalente parametrico


Rochester Electronics, LLC
In magazzino: 779
Prezzo unitario : € 1,09635
Scheda tecnica
Canale N 500 V 2,4 A (Tc) 2,5W (Ta), 42W (Tc) A montaggio superficiale DPAK
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IRFR420TRRPBF

Codice DigiKey
IRFR420TRRPBF-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
IRFR420TRRPBF
Descrizione
MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
Tempi di consegna standard del produttore
26 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 500 V 2,4 A (Tc) 2,5W (Ta), 42W (Tc) A montaggio superficiale DPAK
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
500 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
3ohm a 1,4A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
360 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2,5W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
DPAK
Contenitore/involucro
Codice componente base
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Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3 000€ 0,57677€ 1 730,31
6 000€ 0,56306€ 3 378,36
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,57677
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 0,70366