IRFIB5N65APBF Vishay Siliconix | Prodotti a semiconduttore discreti

IRFIB5N65APBF è obsoleto e non è più in produzione.

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Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

IRFIB5N65APBF
Codice DigiKey	IRFIB5N65APBF-ND
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	IRFIB5N65APBF
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 5,1 A (Tc) 60W (Tc) Foro passante TO-220-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IRFIB5N65APBF Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Vishay Siliconix
Serie	-
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	5,1 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	930mohm a 3,1A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	48 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1417 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	60W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	TO-220-3
Contenitore/involucro	TO-220-3 Full Pack, linguetta isolata
Codice componente base	IRFIB5