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Canale N 600 V 6,2 A (Tc) 3,1W (Ta), 130W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
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Canale N 600 V 6,2 A (Tc) 3,1W (Ta), 130W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
TO-263-3

IRFBC40SPBF

Codice DigiKey
IRFBC40SPBF-ND
Produttore
Vishay Siliconix
Codice produttore
IRFBC40SPBF
Descrizione
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore
91 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 600 V 6,2 A (Tc) 3,1W (Ta), 130W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay Siliconix
Serie
-
Confezionamento
Tubo
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
6,2 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
1,2ohm a 3,7A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1300 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3,1W (Ta), 130W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
TO-263 (D2PAK)
Contenitore/involucro
TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base
IRFBC40
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Quantità
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Tubo
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 4,85000€ 4,85
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Contenitore standard del produttore
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Prezzo unitario IVA esclusa:€ 4,85000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 5,91700