IRFB9N65APBF Vishay Siliconix | FET, MOSFET singoli

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IRFB9N65APBF
Codice DigiKey	IRFB9N65APBF-ND
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	IRFB9N65APBF
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220AB
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 8,5 A (Tc) 167W (Tc) Foro passante TO-220AB
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IRFB9N65APBF Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 48 nC @ 10 V
Confezionamento Tubo	Vgs (max) ±30V
Stato componente Obsoleto	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1417 pF @ 25 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 167W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 650 V	Tipo di montaggio Foro passante
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 8,5 A (Tc)	Contenitore del fornitore TO-220AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro TO-220-3
RDSon (max) a Id, Vgs 930mohm a 5,1A, 10V	Codice componente base IRFB9

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Sostituti (2)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
IXFP10N80P	IXYS	240	IXFP10N80P-ND	€ 6,36000	Simile
STP9NK65Z	STMicroelectronics	0	STP9NK65Z-ND	€ 1,35151	Simile

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