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Canale N 500 V 8 A (Tc) 3,1W (Ta), 125W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
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Canale N 500 V 8 A (Tc) 3,1W (Ta), 125W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
TO-263-3

IRF840LCSPBF

Codice DigiKey
IRF840LCSPBF-ND
Produttore
Vishay Siliconix
Codice produttore
IRF840LCSPBF
Descrizione
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore
22 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 500 V 8 A (Tc) 3,1W (Ta), 125W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay Siliconix
Serie
-
Confezionamento
Tubo
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
500 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
8 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
850mohm a 4,8A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1100 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3,1W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
TO-263 (D2PAK)
Contenitore/involucro
TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base
IRF840
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Quantità
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Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
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Prezzo unitario IVA esclusa:€ 1,18658
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 1,44763