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Canale N 400 V 10 A (Tc) 3,1W (Ta), 125W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
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Canale N 400 V 10 A (Tc) 3,1W (Ta), 125W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
TO-263-3

IRF740STRRPBF

Codice DigiKey
IRF740STRRPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
IRF740STRRPBF
Descrizione
MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore
15 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 400 V 10 A (Tc) 3,1W (Ta), 125W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
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Mostra attributi vuoti
Categoria
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
63 nC @ 10 V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Vgs (max)
±20V
Stato componente
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1400 pF @ 25 V
Tipo FET
Dissipazione di potenza (max)
3,1W (Ta), 125W (Tc)
Tecnologia
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss)
400 V
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore del fornitore
TO-263 (D2PAK)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
Contenitore/involucro
RDSon (max) a Id, Vgs
550mohm a 6A, 10V
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (3)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
FQB11N40CTMonsemi0FQB11N40CTMTR-ND€ 0,00000Simile
IXFA12N50PIXYS281IXFA12N50P-ND€ 4,74000Simile
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Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
800€ 1,14041€ 912,33
1 600€ 1,06380€ 1 702,08
2 400€ 1,06131€ 2 547,14
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 1,14041
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 1,39130