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Canale N 400 V 10 A (Tc) 3,1W (Ta), 125W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
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Canale N 400 V 10 A (Tc) 3,1W (Ta), 125W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
TO-263-3

IRF740ASTRRPBF

Codice DigiKey
IRF740ASTRRPBF-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Vishay Siliconix
Codice produttore
IRF740ASTRRPBF
Descrizione
MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore
26 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 400 V 10 A (Tc) 3,1W (Ta), 125W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Vishay Siliconix
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
400 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
10 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
550mohm a 6A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1030 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3,1W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
TO-263 (D2PAK)
Contenitore/involucro
TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base
IRF740
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
800€ 1,14041€ 912,33
1 600€ 1,06380€ 1 702,08
2 400€ 1,06131€ 2 547,14
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 1,14041
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 1,39130
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