Name: IRF640STRRPBF
Brand: Vishay Siliconix
SKU: IRF640STRRPBFTR-ND
Price: 4.1846 EUR
Availability: OutOfStock

IRF640STRRPBF
Codice DigiKey	IRF640STRRPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) IRF640STRRPBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IRF640STRRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	IRF640STRRPBF
Descrizione	MOSFET N-CH 200V 18A TO263
Tempi di consegna standard del produttore	31 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 200 V 18 A (Tc) 3,1W (Ta), 130W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Vishay Siliconix
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	18 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	180mohm a 11A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	70 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1300 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3,1W (Ta), 130W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TO-263 (D2PAK)
Contenitore/involucro	TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base	IRF640

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 3,43000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 4,18460

IRF640STRRPBF