Name: IRF630STRLPBF
Brand: Vishay Siliconix
SKU: IRF630STRLPBFTR-ND
Price: 2.684 EUR
Availability: InStock

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IRF630STRLPBF
Codice DigiKey	IRF630STRLPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) IRF630STRLPBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IRF630STRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	IRF630STRLPBF
Descrizione	MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	15 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 200 V 9 A (Tc) 3W (Ta), 74W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IRF630STRLPBF Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 43 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 800 pF @ 25 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta), 74W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 200 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 9 A (Tc)	Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
RDSon (max) a Id, Vgs 400mohm a 5,4A, 10V	Codice componente base IRF630

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Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 2,20000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 2,68400

IRF630STRLPBF