3N163-2 Vishay Siliconix | FET, MOSFET singoli

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3N163-2
Codice DigiKey	3N163-2-ND
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	3N163-2
Descrizione	MOSFET P-CH 40V 50MA TO72
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 40 V 50mA (Ta) 375mW (Ta) Foro passante TO-72
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 5V a 10µA
Produttore Vishay Siliconix	Vgs (max) ±30V
Confezionamento Tubo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3.5 pF @ 15 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 375mW (Ta)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio Foro passante
Tensione drain/source (Vdss) 40 V	Contenitore del fornitore TO-72
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 50mA (Ta)	Contenitore/involucro TO-206AF, TO-72-4 contenitore metallico
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 20V	Codice componente base 3N163
RDSon (max) a Id, Vgs 250ohm a 100µA, 20V

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