Name: VS-8EWS12STRL-M3
Brand: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SKU: 112-VS-8EWS12STRL-M3TR-ND
Price: 4.0992 EUR
Availability: InStock

Diodi 1200 V 8A A montaggio superficiale TO-252AA (DPAK)

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VS-8EWS12STRL-M3
Codice DigiKey	112-VS-8EWS12STRL-M3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 112-VS-8EWS12STRL-M3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 112-VS-8EWS12STRL-M3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Codice produttore	VS-8EWS12STRL-M3
Descrizione	DIODE STANDARD 1200V 8A TO252AA
Tempi di consegna standard del produttore	21 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Diodi 1200 V 8A A montaggio superficiale
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Diodi Raddrizzatori Diodi singoli	Velocità Recupero standard > 500ns, > 200mA (Io)
Produttore Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Corrente - Dispersione inversa a Vr 50 µA @ 1200 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Stato componente Attivo	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tecnologia Standard	Contenitore del fornitore TO-252AA (DPAK)
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max 1200 V	Temp. di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 150°C
Corrente - Media rettificata (Io) 8A	Codice componente base 8EWS12
Tensione - Diretta (Vf) max a If 1.1 V @ 8 A