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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Prezzo unitario : € 0,37429
Scheda tecnica
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V8P22CHM3/H | |
|---|---|
Codice DigiKey | 112-V8P22CHM3/HTR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | V8P22CHM3/H |
Descrizione | DIODE ARR SCHOT 200V 3.1A TO277A |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Schiera di diodi 1 coppia, catodo comune 200 V 3,1A A montaggio superficiale TO-277, 3-PowerDFN |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Velocità Recupero rapido =< 500ns, > 200mA (Io) |
Produttore Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Corrente - Dispersione inversa a Vr 80 µA @ 200 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Temp. di funzionamento - Giunzione -40°C ~ 175°C |
Stato componente Fuori produzione presso DigiKey | Grado Automobilistico |
Configurazione diodo 1 coppia, catodo comune | Qualifica AEC-Q101 |
Tecnologia Schottky | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max 200 V | Contenitore/involucro TO-277, 3-PowerDFN |
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 3,1A | Contenitore del fornitore TO-277A (SMPC) |
Tensione - Diretta (Vf) max a If 900 mV @ 4 A |
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| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| V8P22CHM3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | 112-V8P22CHM3_A/HTR-ND | € 0,37429 | Consigliato dal produttore |
In magazzino: 0
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 4 500 | € 0,30465 | € 1 370,92 |
| 7 500 | € 0,29014 | € 2 176,05 |
| 10 500 | € 0,27675 | € 2 905,88 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,30465 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,37167 |
