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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 5 583
Prezzo unitario : € 0,47000
Scheda tecnica
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 50 995
Prezzo unitario : € 0,40000
Scheda tecnica
Equivalente parametrico
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 5 081
Prezzo unitario : € 0,48000
Scheda tecnica
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 2 294
Prezzo unitario : € 0,52000
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 0,10523
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HY Electronic (Cayman) Limited, Taiwan Branch
In magazzino: 5 000
Prezzo unitario : € 65,78200
Scheda tecnica
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Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.
US1JHM3_A/I | |
|---|---|
Codice DigiKey | 112-US1JHM3_A/ITR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | US1JHM3_A/I |
Descrizione | DIODE STANDARD 600V 1A DO214AC |
Tempi di consegna standard del produttore | 10 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Diodi 600 V 1A A montaggio superficiale DO-214AC (SMA) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Mostra attributi vuoti
Categoria | Corrente - Dispersione inversa a Vr 10 µA @ 600 V |
Produttore | Capacità a Vr, F 10pF a 4V, 1MHz |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Grado Automobilistico |
Stato componente Attivo | Qualifica AEC-Q101 |
Tecnologia | Tipo di montaggio |
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max 600 V | Contenitore/involucro |
Corrente - Media rettificata (Io) 1A | Contenitore del fornitore DO-214AC (SMA) |
Tensione - Diretta (Vf) max a If 1.7 V @ 1 A | Temp. di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Velocità Recupero rapido =< 500ns, > 200mA (Io) | Codice componente base |
Tempo di recupero inverso (Trr) 75 ns |
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Sostituti (19)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| US1J-E3/5AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 5 583 | US1J-E3/5ATGICT-ND | € 0,47000 | Equivalente parametrico |
| US1J-E3/61T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 50 995 | US1J-E3/61TGICT-ND | € 0,40000 | Equivalente parametrico |
| US1J-M3/61T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 5 081 | US1J-M3/61TGICT-ND | € 0,48000 | Equivalente parametrico |
| US1JHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 106 | US1JHE3_A/HGICT-ND | € 0,52000 | Equivalente parametrico |
| US1JHE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 2 294 | US1JHE3_A/IGICT-ND | € 0,52000 | Equivalente parametrico |
Disponibile su ordinazione
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 15 000 | € 0,10523 | € 1 578,45 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,10523 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,12838 |
