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Equivalente parametrico
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 10 348
Prezzo unitario : € 0,28000
Scheda tecnica
Equivalente parametrico
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 66 951
Prezzo unitario : € 0,28000
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Scheda tecnica
Equivalente parametrico
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 6 775
Prezzo unitario : € 0,37000
Scheda tecnica
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Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.
S1AHE3_A/I | |
|---|---|
Codice DigiKey | S1AHE3_A/I-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | S1AHE3_A/I |
Descrizione | DIODE STANDARD 50V 1A DO214AC |
Tempi di consegna standard del produttore | 10 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Diodi 50 V 1A A montaggio superficiale DO-214AC (SMA) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Corrente - Dispersione inversa a Vr 1 µA @ 50 V |
Produttore | Capacità a Vr, F 12pF a 4V, 1MHz |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Grado Automobilistico |
Stato componente Attivo | Qualifica AEC-Q101 |
Tecnologia | Tipo di montaggio |
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max 50 V | Contenitore/involucro |
Corrente - Media rettificata (Io) 1A | Contenitore del fornitore DO-214AC (SMA) |
Tensione - Diretta (Vf) max a If 1.1 V @ 1 A | Temp. di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Velocità Recupero standard > 500ns, > 200mA (Io) | Codice componente base |
Tempo di recupero inverso (Trr) 1.8 µs |
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Sostituti (15)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| S1A-E3/5AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 10 348 | S1A-E3/5ATGICT-ND | € 0,28000 | Equivalente parametrico |
| S1A-E3/61T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 66 951 | S1A-E3/61TGICT-ND | € 0,28000 | Equivalente parametrico |
| S1A-M3/5AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | S1A-M3/5AT-ND | € 0,05588 | Equivalente parametrico |
| S1A-M3/61T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | S1A-M3/61T-ND | € 0,06060 | Equivalente parametrico |
| S1AHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 6 775 | S1AHE3_A/HGICT-ND | € 0,37000 | Equivalente parametrico |
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 15 000 | € 0,06057 | € 908,55 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,06057 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,07390 |
