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Equivalente parametrico
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 2 940
Prezzo unitario : € 0,89000
Scheda tecnica
Equivalente parametrico
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 0,19871
Scheda tecnica
Equivalente parametrico
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 0,22185
Scheda tecnica
Equivalente parametrico
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 0,19807
Scheda tecnica
Equivalente parametrico
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 0,26574
Scheda tecnica
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Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.
RS3DHE3_A/I | |
|---|---|
Codice DigiKey | RS3DHE3_A/I-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | RS3DHE3_A/I |
Descrizione | DIODE STANDARD 200V 3A DO214AB |
Tempi di consegna standard del produttore | 10 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Diodi 200 V 3A A montaggio superficiale DO-214AB (SMC) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Mostra attributi vuoti
Categoria | Corrente - Dispersione inversa a Vr 10 µA @ 200 V |
Produttore | Capacità a Vr, F 44pF a 4V, 1MHz |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Grado Automobilistico |
Stato componente Attivo | Qualifica AEC-Q101 |
Tecnologia | Tipo di montaggio |
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max 200 V | Contenitore/involucro |
Corrente - Media rettificata (Io) 3A | Contenitore del fornitore DO-214AB (SMC) |
Tensione - Diretta (Vf) max a If 1.3 V @ 2.5 A | Temp. di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Velocità Recupero rapido =< 500ns, > 200mA (Io) | Codice componente base |
Tempo di recupero inverso (Trr) 150 ns |
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Sostituti (8)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| RS3D-E3/57T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 2 940 | RS3D-E3/57TGICT-ND | € 0,89000 | Equivalente parametrico |
| RS3D-E3/9AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | RS3D-E3/9AT-ND | € 0,19871 | Equivalente parametrico |
| RS3D-M3/57T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | RS3D-M3/57T-ND | € 0,22185 | Equivalente parametrico |
| RS3D-M3/9AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | RS3D-M3/9AT-ND | € 0,19807 | Equivalente parametrico |
| RS3DHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | RS3DHE3_A/H-ND | € 0,26574 | Equivalente parametrico |
Disponibile su ordinazione
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 500 | € 0,24330 | € 851,55 |
| 7 000 | € 0,22526 | € 1 576,82 |
| 10 500 | € 0,21607 | € 2 268,74 |
| 17 500 | € 0,20929 | € 3 662,58 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,24330 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,29683 |
