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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 0,29540
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Equivalente parametrico
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Prezzo unitario : € 0,31164
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Prezzo unitario : € 0,31334
Scheda tecnica
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ESH3BHE3_A/I | |
|---|---|
Codice DigiKey | ESH3BHE3_A/I-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | ESH3BHE3_A/I |
Descrizione | DIODE STANDARD 100V 3A DO214AB |
Tempi di consegna standard del produttore | 9 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Diodi 100 V 3A A montaggio superficiale DO-214AB (SMC) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Corrente - Dispersione inversa a Vr 5 µA @ 100 V |
Produttore | Capacità a Vr, F 70pF a 4V, 1MHz |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Grado Automobilistico |
Stato componente Attivo | Qualifica AEC-Q101 |
Tecnologia | Tipo di montaggio |
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max 100 V | Contenitore/involucro |
Corrente - Media rettificata (Io) 3A | Contenitore del fornitore DO-214AB (SMC) |
Tensione - Diretta (Vf) max a If 900 mV @ 3 A | Temp. di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 175°C |
Velocità Recupero rapido =< 500ns, > 200mA (Io) | Codice componente base |
Tempo di recupero inverso (Trr) 40 ns |
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Sostituti (5)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| ESH3B-E3/57T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | ESH3B-E3/57T-ND | € 0,29540 | Equivalente parametrico |
| ESH3B-E3/9AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | ESH3B-E3/9AT-ND | € 0,29541 | Equivalente parametrico |
| ESH3B-M3/57T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | ESH3B-M3/57T-ND | € 0,31164 | Equivalente parametrico |
| ESH3B-M3/9AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | ESH3B-M3/9AT-ND | € 0,31164 | Equivalente parametrico |
| ESH3BHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | ESH3BHE3_A/H-ND | € 0,31334 | Equivalente parametrico |
Disponibile su ordinazione
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 500 | € 0,31334 | € 1 096,69 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,31334 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,38227 |
