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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 5 059
Prezzo unitario : € 0,90000
Scheda tecnica
Equivalente parametrico
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 1 111
Prezzo unitario : € 0,90000
Scheda tecnica
Equivalente parametrico
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 0,23808
Scheda tecnica
Equivalente parametrico
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 2 378
Prezzo unitario : € 1,18000
Scheda tecnica
Equivalente parametrico
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 0,27509
Scheda tecnica
Simile
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ES3G-M3/9AT | |
|---|---|
Codice DigiKey | ES3G-M3/9AT-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | ES3G-M3/9AT |
Descrizione | DIODE STANDARD 400V 3A DO214AB |
Tempi di consegna standard del produttore | 10 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Diodi 400 V 3A A montaggio superficiale DO-214AB (SMC) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Mostra attributi vuoti
Categoria | Tempo di recupero inverso (Trr) 50 ns |
Produttore | Corrente - Dispersione inversa a Vr 10 µA @ 400 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità a Vr, F 30pF a 4V, 1MHz |
Stato componente Attivo | Tipo di montaggio |
Tecnologia | Contenitore/involucro |
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max 400 V | Contenitore del fornitore DO-214AB (SMC) |
Corrente - Media rettificata (Io) 3A | Temp. di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Tensione - Diretta (Vf) max a If 1.1 V @ 3 A | Codice componente base |
Velocità Recupero rapido =< 500ns, > 200mA (Io) |
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Sostituti (6)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| ES3G-E3/57T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 5 059 | ES3G-E3/57TGICT-ND | € 0,90000 | Equivalente parametrico |
| ES3G-E3/9AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 1 111 | ES3G-E3/9ATGICT-ND | € 0,90000 | Equivalente parametrico |
| ES3G-M3/57T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | ES3G-M3/57T-ND | € 0,23808 | Equivalente parametrico |
| ES3GHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 2 378 | ES3GHE3_A/HGICT-ND | € 1,18000 | Equivalente parametrico |
| ES3GHE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | ES3GHE3_A/I-ND | € 0,27509 | Equivalente parametrico |
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 7 000 | € 0,29331 | € 2 053,17 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,29331 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,35784 |
