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Equivalente parametrico
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 1 305
Prezzo unitario : € 3,81000
Scheda tecnica
Equivalente parametrico
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 9 925
Prezzo unitario : € 3,81000
Scheda tecnica
Equivalente parametrico
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 6 556
Prezzo unitario : € 4,78000
Scheda tecnica
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 115
Prezzo unitario : € 4,81000
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 2 428
Prezzo unitario : € 4,81000
Scheda tecnica
Equivalente parametrico
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 1,23647
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 1,32716
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Prezzo unitario : € 1,12791
Scheda tecnica
Simile
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ES3D-M3/9AT | |
|---|---|
Codice DigiKey | ES3D-M3/9AT-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | ES3D-M3/9AT |
Descrizione | DIODE STANDARD 200V 3A DO214AB |
Tempi di consegna standard del produttore | 10 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Diodi 200 V 3A A montaggio superficiale DO-214AB (SMC) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Mostra attributi vuoti
Categoria | Tempo di recupero inverso (Trr) 30 ns |
Produttore | Corrente - Dispersione inversa a Vr 10 µA @ 200 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità a Vr, F 45pF a 4V, 1MHz |
Stato componente Attivo | Tipo di montaggio |
Tecnologia | Contenitore/involucro |
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max 200 V | Contenitore del fornitore DO-214AB (SMC) |
Corrente - Media rettificata (Io) 3A | Temp. di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Tensione - Diretta (Vf) max a If 900 mV @ 3 A | Codice componente base |
Velocità Recupero rapido =< 500ns, > 200mA (Io) |
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Sostituti (9)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| ES3D-E3/57T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 1 305 | 112-ES3D-E3/57TCT-ND | € 3,81000 | Equivalente parametrico |
| ES3D-E3/9AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 9 925 | ES3D-E3/9ATGICT-ND | € 3,81000 | Equivalente parametrico |
| ES3D-M3/57T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 6 556 | 112-ES3D-M3/57TCT-ND | € 4,78000 | Equivalente parametrico |
| ES3DHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 115 | ES3DHE3_A/HGICT-ND | € 4,81000 | Equivalente parametrico |
| ES3DHE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 2 428 | ES3DHE3_A/IGICT-ND | € 4,81000 | Equivalente parametrico |
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Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 7 000 | € 0,28022 | € 1 961,54 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,28022 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,34187 |
