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Equivalente parametrico
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 20 039
Prezzo unitario : € 0,42000
Scheda tecnica
Equivalente parametrico
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 41 316
Prezzo unitario : € 0,42000
Scheda tecnica
Equivalente parametrico
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 0,08616
Scheda tecnica
Equivalente parametrico
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 11 958
Prezzo unitario : € 0,56000
Scheda tecnica
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 6 255
Prezzo unitario : € 0,55000
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 18 969
Prezzo unitario : € 0,55000
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 16 005
Prezzo unitario : € 0,59000
Scheda tecnica
Equivalente parametrico
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ES1DHM3_A/I | |
|---|---|
Codice DigiKey | 112-ES1DHM3_A/ITR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | ES1DHM3_A/I |
Descrizione | DIODE STANDARD 200V 1A DO214AC |
Tempi di consegna standard del produttore | 10 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Diodi 200 V 1A A montaggio superficiale DO-214AC (SMA) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Mostra attributi vuoti
Categoria | Corrente - Dispersione inversa a Vr 5 µA @ 200 V |
Produttore | Capacità a Vr, F 10pF a 4V, 1MHz |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Grado Automobilistico |
Stato componente Attivo | Qualifica AEC-Q101 |
Tecnologia | Tipo di montaggio |
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max 200 V | Contenitore/involucro |
Corrente - Media rettificata (Io) 1A | Contenitore del fornitore DO-214AC (SMA) |
Tensione - Diretta (Vf) max a If 920 mV @ 1 A | Temp. di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Velocità Recupero rapido =< 500ns, > 200mA (Io) | Codice componente base |
Tempo di recupero inverso (Trr) 25 ns |
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Sostituti (8)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| ES1D-E3/5AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 20 039 | ES1D-E3/5ATGICT-ND | € 0,42000 | Equivalente parametrico |
| ES1D-E3/61T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 41 316 | ES1D-E3/61TGICT-ND | € 0,42000 | Equivalente parametrico |
| ES1D-M3/5AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | ES1D-M3/5AT-ND | € 0,08616 | Equivalente parametrico |
| ES1D-M3/61T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 11 958 | ES1D-M3/61TGICT-ND | € 0,56000 | Equivalente parametrico |
| ES1DHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 6 255 | ES1DHE3_A/HGICT-ND | € 0,55000 | Equivalente parametrico |
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 15 000 | € 0,11531 | € 1 729,65 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,11531 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,14068 |
