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Equivalente parametrico
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 14 680
Prezzo unitario : € 0,42000
Scheda tecnica
Equivalente parametrico
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 22 571
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 0,10615
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 9 196
Prezzo unitario : € 0,55000
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Equivalente parametrico
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 7 420
Prezzo unitario : € 0,55000
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Equivalente parametrico
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 0,11531
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Scheda tecnica
Simile
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ES1B-M3/61T | |
|---|---|
Codice DigiKey | ES1B-M3/61T-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | ES1B-M3/61T |
Descrizione | DIODE STANDARD 100V 1A DO214AC |
Tempi di consegna standard del produttore | 10 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Diodi 100 V 1A A montaggio superficiale DO-214AC (SMA) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Mostra attributi vuoti
Categoria | Tempo di recupero inverso (Trr) 25 ns |
Produttore | Corrente - Dispersione inversa a Vr 5 µA @ 100 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità a Vr, F 10pF a 4V, 1MHz |
Stato componente Attivo | Tipo di montaggio |
Tecnologia | Contenitore/involucro |
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max 100 V | Contenitore del fornitore DO-214AC (SMA) |
Corrente - Media rettificata (Io) 1A | Temp. di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Tensione - Diretta (Vf) max a If 920 mV @ 1 A | Codice componente base |
Velocità Recupero rapido =< 500ns, > 200mA (Io) |
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Sostituti (9)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| ES1B-E3/5AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 14 680 | ES1B-E3/5ATGICT-ND | € 0,42000 | Equivalente parametrico |
| ES1B-E3/61T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 22 571 | ES1B-E3/61TGICT-ND | € 0,42000 | Equivalente parametrico |
| ES1B-M3/5AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | ES1B-M3/5AT-ND | € 0,10615 | Equivalente parametrico |
| ES1BHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 9 196 | ES1BHE3_A/HGICT-ND | € 0,55000 | Equivalente parametrico |
| ES1BHE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 7 420 | 112-ES1BHE3_A/ICT-ND | € 0,55000 | Equivalente parametrico |
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 16 200 | € 0,10615 | € 1 719,63 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,10615 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,12950 |
