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Equivalente parametrico
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 18 812
Prezzo unitario : € 0,39000
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Equivalente parametrico
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Equivalente parametrico
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 16 740
Prezzo unitario : € 0,38000
Scheda tecnica
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 0,06537
Scheda tecnica
Equivalente parametrico
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 0,04889
Scheda tecnica
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BZT52C3V0-G3-08 | |
|---|---|
Codice DigiKey | BZT52C3V0-G3-08-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | BZT52C3V0-G3-08 |
Descrizione | DIODE ZENER 3V 410MW SOD123 |
Tempi di consegna standard del produttore | 36 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Diodi - Zener 3 V 410 mW ±5% A montaggio superficiale SOD-123 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
Categoria | Potenza - Max 410 mW |
Produttore | Impedenza (max) (Zzt) 95 Ohms |
Serie | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Stato componente Attivo | Contenitore/involucro |
Tensione - Zener (Vz) nom. | Contenitore del fornitore SOD-123 |
Tolleranza ±5% | Codice componente base |
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Sostituti (18)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| BZT52B3V0-E3-08 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 18 812 | 112-BZT52B3V0-E3-08CT-ND | € 0,39000 | Equivalente parametrico |
| BZT52B3V0-E3-18 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | BZT52B3V0-E3-18-ND | € 0,06639 | Equivalente parametrico |
| BZT52B3V0-G3-08 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | BZT52B3V0-G3-08-ND | € 0,05195 | Equivalente parametrico |
| BZT52B3V0-G3-18 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | BZT52B3V0-G3-18-ND | € 0,05479 | Equivalente parametrico |
| BZT52C3V0-E3-08 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 16 740 | 112-BZT52C3V0-E3-08CT-ND | € 0,38000 | Equivalente parametrico |
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 15 000 | € 0,04630 | € 694,50 |
| 30 000 | € 0,04244 | € 1 273,20 |
| 45 000 | € 0,04047 | € 1 821,15 |
| 75 000 | € 0,03826 | € 2 869,50 |
| 105 000 | € 0,03695 | € 3 879,75 |
| 150 000 | € 0,03568 | € 5 352,00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,04630 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,05649 |
